%0 Journal Article
%T 含N薄栅介质的电离辐照及退火特性
%A 张国强
%A 陆妩
%A 余学锋
%A 郭旗
%A 任迪远
%A 严荣良
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界面陷阱的退火速率．用一定模型解释了实验结果．
%K MOS器件
%K 电离辐照
%K N薄栅介质
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A8B514A346CDE293&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=94C357A881DFC066&sid=B40AD8FE6FA88DE9&eid=78976D931AD1540F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=5