%0 Journal Article
%T 金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理
%A 俞建华
%A 孙承休
%A 高中林
%A 魏同立
%A 王启明
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合．电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一个负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的峰显示，在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡．
%K 隧道二极管
%K MIS
%K 硅基
%K 发光器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A1E6F5DD3AFA722C&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=94C357A881DFC066&sid=65C08888CCE4801E&eid=D1D63D047E37A053&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3