%0 Journal Article
%T nMOSFET’s界面对热空穴俘获率的研究
%A 张炯
%A 吴正立
%A 李瑞伟
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文中，我们利用ｎＭＯＳＦＥＴ’ｓ器件反向关态电流对器件的热空穴的俘获率（我们定义它为在一个热载流子应力过程中界面俘获的空穴量）进行了初步的探讨．结果表明，热空穴的俘获率随应力时间呈对数增长；与漏附近栅氧中的纵向电场有直接的关系；与热空穴的注入效率没有明显的联系．
%K MOS
%K 集成电路
%K 热载流子效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C4560E9FA9AC60711E3&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=F7BB24011DC0D223&eid=F4BDB5452F9F5642&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1