%0 Journal Article
%T In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光
%A 高瑛
%A 刘学彦
%A 赵家龙
%A 苏锡安
%A 秦福文
%A 杨树人
%A 刘宝林
%A 陈佰军
%A 刘式墉
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．
%K InGaAs
%K 磷化铟
%K 应变
%K 量子阱
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A6826746400C571AF9&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=94C357A881DFC066&sid=A04F01817ECB9A48&eid=31125890FF093250&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=5