%0 Journal Article
%T 氟在多晶硅栅中迁移特性的分析与模拟
%A 张廷庆
%A 李建军
%A 刘家璐
%A 赵元富
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系数ｅ约为６E－２／ｓ，氟在晶粒间界的扩散系数Ｄｂ＝９E－１２ｅｘｐ（－０．８９５／ｋＴ）和氟在Ｐｏｌｙ－Ｓｉ／ＳｉＯ２界面的吸收系数Ｓ１与温度的变化关系．
%K 多晶硅栅
%K 氟
%K MOS器件
%K 硅
%K 迁移特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EA89879E69EF182E&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=26AEEED215BE97D0&eid=3E3EF0DB5E6F2DA9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3