%0 Journal Article
%T 用全扩散法制作MCT
%A 张发生
%A 周如培
%A 周宝霞
%A 陈治明.
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．
%K 全扩散法
%K MOS控制
%K 晶闸管
%K 硅片
%K MCT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4FEDA2851E319B4E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=66D0A4667FE1A38D&eid=1C3BB0F444F5E427&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0