%0 Journal Article
%T 多孔硅的微观结构及其氧化特性
%A 黄宜平
%A 郑大卫
%A 李爱珍
%A 汤庭鳌
%A 崔堑
%A 张翔九
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关．
%K 多孔硅
%K 微观结构
%K 氧化特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2D6FBCFF102E1C13&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=2A8D03AD8076A2E3&eid=C5154311167311FE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0