%0 Journal Article
%T Two Types of High Frequency Integrated CMOS Multivibrator Voltage-Controlled Oscillator<br>两种集成高频CMOS多谐压控振荡器
%A ZHANG Chun-hui
%A LI Yong-ming
%A CHEN hong-yi
%A <br>张春晖
%A 李永明
%A 陈弘毅
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 提出了两种压控振荡器 ,一种为差分形式 ,另一种为压控环结构 .采用 CSMC公司 0 .6 μm标准 CMOS工艺进行模拟 ,后仿真的结果显示 ,压控环结构的最高频率达到 2 GHz,在 5 V电源下的功耗为 7.5 m W.对压控振荡器的实现方法进行了分析比较 ,总结了高性能压控振荡器应具备的条件 ,并讨论了特定工艺下压控振荡器的极限频率 .
%K phase-locked loop
%K CMOS oscillator
%K phase noise
%K feature size<br>琐相环
%K CMOS振荡器
%K 相位噪声
%K 特征尺寸
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=56F23495287EAEB8&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=E158A972A605785F&sid=ABF2590617D31FFD&eid=DDDA4F26E8AD3C0E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=8