%0 Journal Article
%T Negative-Resistance Oscillations Characteristics of a New Type Silicon Magnetic Sensitive Transistor on MEMS<br>基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性
%A Zhao Xiaofeng
%A Wen Dianzhong
%A <br>赵晓锋
%A 温殿忠
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件，采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作．实验结果表明，集电极电流随外加磁场的变化而变化；在基极注入电流一定时，出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性，且集电极电流振荡随外加磁场而变化．对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论，结果表明，在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下，当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时，该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性．在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制．
%K MEMS
%K negative-resistance oscillations characteristics
%K silicon magnetic sensitive transistor
%K avalanche multiplication effect<br>MEMS
%K S型负阻-振荡特性
%K 硅磁敏三极管
%K 雪崩倍增效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F6190B8DBD0721FC&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=4BE5C218638B5C80&eid=CBB937218406B640&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8