%0 Journal Article
%T Investigation on Two-Dimensional Electron Gas in AIxGa1-xN/GaN Heterostructures by Using Schottky C-V Measurement<br>肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气
%A ZHOU Yu gang
%A SHEN Bo
%A LIU Jie
%A YU Hui qiang
%A ZHOU Hui mei
%A QIAN Yue
%A ZHANG Rong
%A SHI Yi
%A ZHENG You dou
%A <br>周玉刚
%A 沈波
%A 刘杰
%A 俞慧强
%A 周慧梅
%A 钱悦
%A 张荣
%A 施毅
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中～ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 -
%K Al xGa 1-x
%K N/GaN heterostructure
%K Schottky contacts
%K two
%K dimensional electron gas<br>AlxGa1-xN/GaN异质结
%K 肖特基接触
%K 二维电子气
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=32BA9855EAA332AE&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=708DD6B15D2464E8&sid=76DAC16A9BFED90B&eid=AFD02B86BFB3C7FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=10