%0 Journal Article
%T 808nm GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器波长的影响因素及控制
%A 朱东海
%A 梁基本
%A 徐波
%A 朱战萍
%A 张隽
%A 龚谦
%A 李胜英
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制作的激光器的结果表明，器件室温连续输出功率1W时，激射波长仍可保持在808nm附近，器件的室温连续输出功率已达2.3W．
%K 量子阱
%K 半导体激光器
%K 砷化镓
%K AlGaAs
%K 激射波长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0A41298C13C01532&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=0B39A22176CE99FB&sid=6270DC1B5693DDAF&eid=4BB057F167CF3A60&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1