%0 Journal Article
%T Measurement of Specific Contact Resistivity of Ohmic Contact on p-GaN<br>p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量
%A Xue Song
%A Han Yanjun
%A Wu Zhen
%A Luo Yi
%A <br>薛松
%A 韩彦军
%A 吴震
%A 罗毅
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 采用多种传输线模型方法，测量了p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率．通过比较和分析不同测量方法所得的结果之间的差异，得出了一个准确、可靠测量p型GaN上的欧姆接触的比接触电阻率的方法——圆点传输线模型方法．利用该方法优化了p型GaN上欧姆接触的退火温度，在氧气气氛中650℃退火后获得了最优的欧姆接触，其比接触电阻率为5.12e－4Ω·cm2．
%K p-GaN
%K SCR
%K TLM
%K CTLM<br>p型氮化镓
%K 比接触电阻率
%K 传输线模型
%K 圆形传输线模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B40BBB23DC117092&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=78AF84DBB4041008&eid=CF2C3194F1B66D28&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=10