%0 Journal Article
%T Research on Ⅲ-Ⅴ Bandgap Graded Solar Cells<br>渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用
%A Peng Hua
%A Zhou Zhibin
%A Cui Rongqiang
%A Ye Qinghao
%A Pang Qianjun
%A Chen Mingbo
%A Zhao Liang
%A <br>彭华
%A 周之斌
%A 崔容强
%A 叶庆好
%A 庞乾骏
%A 陈鸣波
%A 赵亮
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上，研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点，采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1－xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟，并与普通电池进行了对比分析．一方面，带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场，帮助少子收集，增加少子寿命；另一方面，渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率，使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化，总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用．
%K solar cell
%K bandgap graded
%K generation aided
%K collection aided<br>太阳电池
%K 渐变带隙
%K 载流子产生
%K 载流子收集
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8E69586C90AC5F87&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=94C357A881DFC066&sid=808D6B9EB5A8B4B4&eid=5357CC5E80802025&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11