%0 Journal Article
%T 含耦合双量子阱的半导体微腔的透射谱
%A 王文利
%A 姬扬
%A 郑厚植
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文从基本的光跃迁理论出发，用半经典的线性色散模型，计算了双量子阱耦合情况下微腔透射谱．计算结果表明，当吸收系数取２×１０－２ｎｍ－１时，在微腔的透射谱上能看到三个很高的透射峰，并且峰的线宽要窄于冷腔透射峰的线宽．这是由于耦合激子态与微腔光场的强耦合相互作用引起的
%K 分子束外延
%K MOCVD
%K 半导体微腔
%K 透射谱
%K 量子阱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DCF82C46F089C298&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=94C357A881DFC066&sid=44FDB9366EDDFA2B&eid=3BAAE0DA6093AC05&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1