%0 Journal Article
%T n型砷化镓外延层中1.48eV发射带的时间分辨光谱的研究
%A 段家忯
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 用VPE技术生长的n型砷化镓外延层在1.48eV能量位置有一个发射带,与我们熟知的1.49eV发射带有相似的光学特性.低温下的辐射寿命及时间分辨光谱测量进一步证实了它是由一个中性施主与中性受主对的复合发射产生的,并且来源于杂质硅.
%K 砷化镓
%K 外延层
%K 分辨光谱
%K 发射带
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6D7B6AF1B0502406&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C81D738643975BB0&eid=F3549E0657848E2A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0