%0 Journal Article
%T Study on Nanocrystalline Ge Formed Directly by High Dose Ge Ion Implantation<br>高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究
%A Zeng Yingqiu
%A Lu Tiecheng
%A Shen Liru
%A Li Heng
%A Yang Jingguo
%A Zou Ping
%A Lin Libin
%A <br>曾颖秋
%A 卢铁城
%A 沈丽如
%A 李恒
%A 杨经国
%A 邹萍
%A 林理彬
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的
%K nanocrystalline Ge
%K ion implantation
%K amorphism-crystal transition<br>Ge纳米晶
%K 离子注入
%K 非晶态-晶态相变
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=656B0732E77EC7F9&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=A4E67967A1AB25F0&eid=F27A401E323B6FAD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=11