%0 Journal Article
%T Crack-Free GaN Grown by MOCVD on Si(111)<br>Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长
%A Zhang Baoshun
%A Wu Mo
%A Chen Jun
%A Shen Xiaoming
%A Feng Gan
%A Liu Jianping
%A Shi Yongsheng
%A Duan Lihong
%A Zhu Jianjun
%A Yang Hui
%A Liang Junwu
%A <br>张宝顺
%A 伍墨
%A 陈俊
%A 沈晓明
%A 冯淦
%A 刘建平
%A 史永生
%A 段丽宏
%A 朱建军
%A 杨辉
%A 梁骏吾
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用Al N插入层技术在Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂Ga N MOCVD生长.通过对Ga N外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了Ga N所受张应力与Al N插入层厚度的变化关系.当Al N厚度在7～1 3nm范围内,Ga N所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,Ga N微裂得以消除.同时研究了Al N插入层对Ga N晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有Al N插入层的Ga N样品有明显提高
%K GaN
%K stress
%K MOVPE
%K cracks<br>GaN
%K 应力
%K MOVPE
%K 微裂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7594D933AEF4EB2B&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=FED44C0135DC1D9C&eid=3081401A9FAB9CE2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=12