%0 Journal Article
%T Preparation and Characteristics of PZT Films on Si Substrates<br>硅衬底上PZT薄膜的制备及其特性分析
%A Yang Ying
%A Chen Zhiming
%A Zhao Gaoyang
%A <br>杨莺
%A 陈治明
%A 赵高扬
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用溶胶-凝胶提拉技术在低阻硅衬底上以钛酸铅(PT)作缓冲层,成功地制备了锆钛酸铅(PZT)高介电常数介质膜,其锆钛组分比为4 5∶5 5 .研究了薄膜结晶状态与制备条件的关系及相应的介电、铁电特性.结果表明,用这种方法制备的PZT薄膜在80 0℃退火1 5 m in晶化已相当完善,以(1 1 0 )为择优取向;这些样品的结晶尺度根据衍射峰的半高宽估计为1 4～2 5 nm左右;采用Sawyer- Tower电路和L CR电桥测试法获得的结果表明,经过80 0℃退火1 5 min的PZT样品,其剩余极化强度为4 7.7μC/ cm2 ,矫顽场强为1 8k V/ cm,介电常数为1 5 8,损耗因子为0 .0 4～0 .0 5 5
%K sol-gel process
%K PZT
%K perovskite
%K hysteresis loops<br>溶胶-凝胶
%K 锆钛酸铅
%K 钙钛矿相
%K 电滞回线
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=21E19FCA973CF2DE&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=E158A972A605785F&sid=B79ACB6EBBFC9730&eid=0493D643315CD829&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10