%0 Journal Article
%T Electrical and Structural Properties of Mo/W/Ti/Au Ohmic Contacts to n-GaAs<br>难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性
%A Liu Wenchao
%A Xia Guanqun
%A Li Binghan
%A Huang Wenkui
%A and Liu Yanxiang
%A <br>刘文超
%A 夏冠群
%A 李冰寒
%A 黄文奎
%A 刘延祥
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触，在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试，并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明，用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后，比接触电阻最小；在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻，约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度，消除了费米能级钉扎效应，从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．
%K Mo/W/Ti/Au
%K GaAs<br>欧姆接触
%K 钝化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8C286719E66FF8AF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=11B4E5CC8CDD3201&eid=1D0FA33DA02ABACD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17