%0 Journal Article
%T MOCVD生长大功率单量子阱激光器
%A 郑联喜
%A 肖智博
%A 韩勤
%A 金才政
%A 周帆
%A 马朝华
%A 胡雄伟
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量于阱激光器．ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２，７００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面．激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ２，斜率效率为１．２Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时．
%K 单量子阱激光器
%K 激光器
%K MOCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=681FAB22C15499E3&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=94C357A881DFC066&sid=5A735990D5DE8BF4&eid=396DD691E964F390&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2