%0 Journal Article
%T Tunnel Junction AlGaInP Light Emitting Diode<br>隧道结 AlGaInP发光二极管(英文)
%A Wang Guohong
%A Shen Guangdi
%A Guo Xia
%A Gao Guo
%A Wei Xin
%A Zhang Guangze
%A Ma Xiaoyu
%A Li Yuzhang
%A Chen Lianghui
%A <br>王国宏
%A 沈光地
%A 郭霞
%A 高国
%A 韦欣
%A 张广泽
%A 马骁宇
%A 李玉璋
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 报道了通过隧道结将衬底的导电类型从 n型转变到 p型 ,从而可以利用 n型 Ga P作为以 n型 Ga As为衬底的 Al Ga In P发光二极管的电流扩展层 .n型电流扩展层的电阻率低于 p型电流扩展层的电阻率 ,这种结构改善了电流扩展层的作用 ,从而提高了发光二极管的光提取效率 .对 3μm Ga P电流扩展层的发光二极管 ,实验结果表明 ,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比 ,2 0 m A时发光功率提高了 5 0 % ,10 0 m A时提高了 6 6 .7%
%K tunnel junction
%K AlGaInP
%K high brightness LED
%K MOCVD<br>隧道结
%K AlGaInP
%K 高亮度发光二极管
%K MOCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=77BBB80A75034A7F&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3EABEBD973E45554&eid=250DF325A002B9CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9