%0 Journal Article
%T S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究
%A 胡海天
%A 丁训民
%A 袁泽亮
%A 李哲深
%A 曹先安
%A 侯晓远
%A 陆尔东
%A 徐世红
%A 徐彭寿
%A 张新夷
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量，表明稳定的钝化同表面Ｇａ－Ｓ键的存在联系在一起
%K 砷化镓
%K SRPES
%K 钝化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45ED9F9312BF172720&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=EC34D52BE81085CE&eid=CA9ED1AB4D9E3E04&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4