%0 Journal Article
%T 三角形点结构的MBE生长及其量子阱限制能量的横向变化
%A 牛智川
%A 周增圻
%A 韩勤
%A 吴荣汉
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文首次报道了在腐蚀图形的（３１１）Ａ衬底上，一种新型三角形点结构的ＭＢＥ生长及其量子阱限制能量的横向变化研究．原子力显微镜三维图象清晰地显示出在原腐蚀凹面图形之间的平面区域，ＭＢＥ选择性生长形成了均匀的三角形收缩结构，其尖角沿［２３３］方向，收缩面由对称的｛１１１｝Ａ面构成．低温阴极荧光谱和图象测试研究结果表明：这种点状外延结构存在三个分离的荧光发射区域，分别对应于三个不同的激发光波长．说明这种点结构中量子阱层厚度的变化引入了量子阱限制能量的横向变化．低温微区光致发光谱测试得到高度可分辨的三个发光峰
%K MBE生长
%K 量子阱
%K 限制能量
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8D8296B6C09FD26D&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=A2745AA1110798CA&eid=0C3F9E980968AF79&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=8