%0 Journal Article
%T CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料
%A 金高龙
%A 陈维德
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／Ｇａ
%K MESFET
%K 砷化镓
%K CoSi2
%K 栅极
%K 材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B2FC1771A7CB498&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=5D311CA918CA9A03&sid=AE43DE0664B02889&eid=C81D738643975BB0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3