%0 Journal Article
%T Fabrication of Au-AlGaN/GaN HFET and Its Properties<br>Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性
%A Zhang Jinwen
%A Yan Guizhen
%A Zhang Taiping
%A Wang Wei
%A Ning Baojun
%A Wu Guoying
%A <br>张锦文
%A 闫桂珍
%A 张太平
%A 王玮
%A 宁宝俊
%A 武国英
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性 ,反向漏电流较小 ,最大跨导可达 47m S/ mm;经过 30 0℃、30 m in热处理后器件的室温输出特性有显著改善 ,而且器件饱和压降明显降低 ,说明 30 0℃热处理没有给器件造成不可恢复的破坏
%K Al Ga N/ Ga N
%K HFET
%K output characteristics<br>AlGaN/GaN
%K HFET
%K 输出特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B5325E37BEDC0DB7&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=D1D63D047E37A053&eid=CB3428B1EFB1C133&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=13&reference_num=8