%0 Journal Article
%T Yield Analysis of GaAs DPDT Monolithic RF Switch for Wireless Communication<br>手机用砷化镓双刀双掷单片射频开关成品率分析
%A Li Fuxiao
%A Jiang Youquan
%A Wu Zhenhai
%A Xu Zhongcang
%A Niu Lirong
%A Zhou Jianming
%A Shao Kai
%A Yang Naibin
%A <br>李拂晓
%A 蒋幼泉
%A 吴振海
%A 徐中仓
%A 钮利荣
%A 周剑明
%A 邵凯
%A 杨乃彬
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 采用 Ga As75 mm 0 .7μm离子注入场效应晶体管 (MESFET)标准工艺技术研制出手机用 Ga As双刀双掷(DPDT)单片射频开关 (以下简称单片开关 ) .成品率分析表明 ,影响单片开关直流及射频参数成品率的主要因素包括 :材料几何参数、注入退火均匀性、栅光刻成品率、挖槽控制及圆片沾污等 .优化工艺条件可以使单片开关直流成品率稳定在 90 %左右 ,微波成品率稳定在 80 %左右 ,接近国际上砷化镓标准加工线的水平
%K Ga As
%K monolithic
%K RF switch
%K yield analysi<br>砷化镓
%K 单片
%K 射频开关
%K 成品率分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=196F48E872CD25D2&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=E158A972A605785F&sid=1E9426A299DC9FFD&eid=8CCD0401CC9AE432&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3