%0 Journal Article
%T Growth and Properties of High Resistivity Cd0.8Zn0.2Te Single Crystals<br>高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测
%A Li Qifeng
%A Zhu Shifu
%A Zhao Beijun
%A Cai Li
%A Gao Deyou
%A Jin Yingrong
%A <br>李奇峰
%A 朱世富
%A 赵北君
%A 蔡力
%A 高德友
%A 金应荣
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 报道了采用富 Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉 Cd0 .8Zn0 .2 Te(CZT)单晶体的新工艺 ,对所生长的晶体作了 X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试 .晶体在 4 4 0 0～ 4 5 0 cm- 1范围内的红外透过率达到 5 0 % ,截止吸收波长为 787.6 nm,带隙为 1.5 74 e V,室温电阻率达到 2× 10 1 0 Ω· cm ,已接近本征 Cd0 .8Zn0 .2 Te半导体的理论值 .用该晶体制作的核探测器在室温下对 2 4 1 Am和 1 0 9Cd放射源均有响应 ,并获得了比较好的 2 4 1 Am- 5 9.5 ke V吸收谱 .结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应
%K Cd 0
%K 8 Zn
%K 0
%K 2
%K Te
%K crystal growth
%K Bridgeman method
%K room nuclear radiation detector<br>Cd0.8Zn0.2Te
%K 单晶生长
%K 布里奇曼法
%K 室温核辐射探测器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FFCC4C2B4CDD3A90&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=0B4F496D54044D86&eid=1B97AE5098AEB49C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=11