%0 Journal Article
%T Metal/n-AlGaN Ohmic Contact<br>金属/n型AlGaN欧姆接触
%A Zhou Huimei
%A Shen Bo
%A Zhou Yugang
%A Liu Jie
%A Zheng Zewei
%A Qian Yue
%A Zhang Rong
%A Shi Yi
%A Zheng Youdou
%A Cao Chunhai
%A Jiao Gang
%A Chen Tangsheng
%A <br>周慧梅
%A 沈波
%A 周玉刚
%A 刘杰
%A 郑泽伟
%A 钱悦
%A 张荣
%A 施毅
%A 郑有炓
%A 曹春海
%A 焦刚
%A 陈堂胜
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应得出在 5 0 0℃以上退火过程中 ,Al Ga N层中 N原子向外扩散 ,在 Al Ga N表面附近形成 n型重掺杂层 ,导致欧姆接触电阻率下降 ;随退火温度的升高 ,N原子外扩散加剧 ,到 80 0℃以上退火在 Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面形成 Ti2 N相 ,导致欧姆接触电阻率进一步下降
%K Ⅲ族氮化物
%K 欧姆接触
%K 界面固相反应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=914093B1BF76FB47&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D59111839E7C8BDF&eid=3F0AF5EDBC960DB0&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=8&reference_num=8