%0 Journal Article
%T Preparation and Characteristics of p-Type ZnO Films Using Al and N Codoping Method by DC Reactive Magnetron Sputtering<br>直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性
%A 袁国栋
%A 叶志镇
%A 曾昱嘉
%A 吕建国
%A 钱庆
%A 黄靖云
%A 赵炳辉
%A 朱丽萍
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 1e2 ～ 1e3 Ω·cm ,载流子浓度为 1e15～ 1e16cm-3 ,迁移率为 0.5～ 1.32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV
%K Al and N codoping method
%K p-ZnO
%K DC reactive magnetron sputtering<br>Al
%K N共掺杂技术
%K p-ZnO
%K 直流反应磁控溅射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9FB61CBA9A825F28&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C6FC2A9EA7E6C4B9&eid=B28C697BC3A1BA62&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=9&reference_num=18