%0 Journal Article
%T MOS器件鸟咀区非本征电容研究
%A 戚盛勇
%A 俞权
%A 彭军
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂散电容的影响，不易测准．本文研究了精确测量Ｃｇｂ０的方法，同时也发现它的值不是常数，并给出了Ｃｇｂ０随Ｖｇｂ变化的经验公式．
%K MOS器件
%K 非本征电容
%K 测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A68D33CD9FC45450&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=1F7317C17A9AF4FA&eid=FE17D37BFC90FA6B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3