%0 Journal Article
%T InSb磁敏电阻器导电机理及可靠性
%A 张之圣
%A 胡明
%A 刘志刚
%A 王文生
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文详细讨论了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的导电机理，在文献［１］、［２］的基础上，提出了提高它的灵敏度的途径．本文首次研究了ＩｎＳｂ磁敏电阻器的可靠性，通过可靠性寿命试验，其失效率λ（ｔ）＜１×１０－５／ｈ．
%K InSb
%K 磁敏电阻器
%K 导电机理
%K 可靠性
%K 电阻器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=658C81CAF14A7D97&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=58F693790F887B3B&eid=B0EBA60720995721&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=1