%0 Journal Article
%T GaAs／AlGaAs光子平行存贮器的性能
%A 夏永伟
%A 滕学公
%A 李国花
%A 樊志军
%A 王守武
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文报告用ＰｎｐＮ型ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和４×４阵列器件的特性．单元器件的最小维持功耗小于３０μＷ．使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于８０μＷ．单元面积１６０×１６０μｍ、间距４０μｍ的存贮器４×４原理性阵列已经研制成功，这是０．８５μｍ波长范围的光子平行存贮器的首次报道．
%K 光子平行存储器
%K 砷化镓
%K AlGaAs
%K 存储器
%K 性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BC693B292ADFAFAF&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=6DE26652A1045643&eid=5E25104E99903E8A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4