%0 Journal Article
%T GeSi／Si应变异质结构应变和应力分布的模型研究
%A 李炳辉
%A 韩汝琦
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文给出了分析ＧｅＳｉ／Ｓｉ应变异质结中应变分布和弯曲的力学模型．该模型将外延层和衬底中的应变分为失配应变和弯曲应变，在假设整个异质结构均匀弯曲的情况下，根据力学、平衡条件得到了计算应变异质结构应变分布和弯曲半径的有关公式．这些模型结果结合Ｘ射线双晶衍射测量和模拟可以得到外延层的生长参数和整个异质结构的应变分布及弯曲半径．
%K GeSi／Si
%K 硅
%K 异质结构
%K 应力分布
%K 应变分布
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C2F52D19FFC90DD7&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=35FC3610259C2B32&eid=117F81797AB182FC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3