%0 Journal Article
%T Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy<br>RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)
%A Wang Xiaoliang
%A Hu Guoxin
%A Wang Junxi
%A Liu Xinyu
%A Liu Jian
%A LIU Hongxin
%A Sun Dianzhao
%A Zeng Yiping
%A Qian He
%A Li Jinmin
%A Kong Meiying
%A Lin Lanying
%A <br>王晓亮
%A 胡国新
%A 王军喜
%A 刘新宇
%A 刘键
%A 刘宏新
%A 孙殿照
%A 曾一平
%A 钱鹤
%A 李晋闽
%A 孔梅影
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.
%K HEMT
%K GaN
%K FET
%K RF-MBE<br>高电子迁移率晶体管
%K 氮化镓
%K 场效应晶体管
%K RF-MBE
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7DF310725007A211&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CDEBD1ACE0A4C1C1&eid=F122871CC7EC92DC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=9