%0 Journal Article
%T 注Si~＋热氧化SiO_2薄膜的蓝光发射及其退火特性
%A 廖良生
%A 鲍希茂
%A 郑祥钦
%A 李宁生
%A 闵乃本
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 对单晶硅片上热生长的ＳｉＯ２薄膜注入Ｓｉ＋，注入能量为１２０ｋｅＶ，剂量为２e１６ｃｍ－２．在～５．０ｅＶ的光子激发下，注Ｓｉ＋氧化膜可生产～２．７ｅＶ的蓝光发射．在退火处理中，发光强度先随退火温度上升而增大，在５００～６００℃时达到最大值，此后逐渐减小．这种蓝光发射是由于注入的过剩Ｓｉ引起氧空位缺陷而产生的．
%K 硅离子注入
%K 热氧化
%K 二氧化硅
%K 薄膜
%K 蓝光发射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073355A985F1138151C&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=7B927C26AC9ED104&eid=1471D37D8144EBCF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=5