%0 Journal Article
%T 利用快速热退火在n－GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触
%A 陈维德
%A 谢小龙
%A 崔玉德
%A 段俐宏
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、界面平整．利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C94963D477856766&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=141C24EC1980F602&eid=E339BF74025BB291&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0