%0 Journal Article
%T 生长在Si（001）衬底上的应变合金Ge_xSi_（1－x）的价带电子能带结构
%A 徐至中
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 采用经验的紧束缚方法，对生长在Ｓｉ（００１）衬底上的应变合金ＧｅｘＳｉ１－ｘ。的价带结构进行了计算．并与相应组分的体合金的价带结构进行了比较．当考虑应变对电子能带的影响时，采用了经验的标度定则．这里的标度指数根据对Ｇｅ、Ｓｉ的畸变势常数实验值的拟合而决定．文中给出了应变合金及体合金的三支价带沿Ｌ－Γ－Ｘ方向的色散关系，Γ点价带顶能级、自旋－轨道互作用分裂值△ｓｏ及轻、重空穴能级在应变下的分裂值△ｈｌ随合金组分Ｘ的变化关系，三支价带顶的等能面，以及三支价带的空穴有效质量随合金组分Ｘ的变化关系．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFB123B90AD42B7F&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=38B194292C032A66&sid=3F0AF5EDBC960DB0&eid=F1177A9DF1349B63&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0