%0 Journal Article
%T GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件
%A 罗毅
%A 蒲锐
%A 孙长征
%A 彭吉虎
%A 平田隆昭
%A 江口匡史
%A 中野义昭
%A 多日邦雄
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7883C08D3481B215&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=94C357A881DFC066&sid=15251AE9C02726D3&eid=EA64BD0B2FF6E786&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0