%0 Journal Article
%T 硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性
%A 何治平
%A 周祖尧
%A 徐宏来
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术．本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５°，３０°和６０°的Ａｓ＋离子注入到硅中造成的辐射损伤及其退火特性．
%K 硅
%K 砷注入
%K 损伤
%K 退火
%K 超线结
%K 离子注入
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9E03708D042B2F1C&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=DEBDB7F30FBA7F9B&eid=CEFF71AEB051114C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0