%0 Journal Article
%T Undoped ZnO/p-Si Heterojunction and Its PhotoVoltage Characteristics<br>ZnO/p-Si异质结的光电转换特性
%A Duan Li
%A Lin Bixia
%A Fu Zhuxi
%A Cai Junjiang
%A Zhang Ziyu
%A <br>段理
%A 林碧霞
%A 傅竹西
%A 蔡俊江
%A 张子俞
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 通过直流反应溅射制备了整流特性良好的ZnO/p-Si异质结,并在该异质结上观察到了明显的光电转换特性.研究表明ZnO薄膜中的电子浓度在一个合适的数值(1.6×1015cm-3)时光电流最强,另外晶粒尺寸越大光电流越强.分析表明,电子浓度和晶粒直径对光电流的影响规律在很大程度上是载流子散射导致的.此外,还发现ZnO薄膜存在一个临界厚度,当薄膜厚度大于该临界厚度时,异质结的光电压和光电流都急剧衰减并很快接近于0.实验表明,这个临界厚度和ZnO薄膜(001)面最大晶粒直径一致.
%K ZnO
%K heterojunctions
%K photovoltage<br>ZnO
%K 异质结
%K 光伏效应
%K 异质结
%K 光电转换特性
%K Undoped
%K Characteristics
%K 实验
%K 衰减
%K 光电压
%K 薄膜厚度
%K 临界厚度
%K 存在
%K 发现
%K 载流子散射
%K 程度
%K 规律
%K 电流的影响
%K 晶粒直径
%K 分析表
%K 晶粒尺寸
%K 光电流
%K 数值
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=17E4DE75856CB380&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=49BEA5698E310F48&eid=E641A1E50E600569&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=19