%0 Journal Article
%T CdZnTe晶片中Te沉淀相的观察与研究
%A 朱基千
%A 褚君浩
%A 张小平
%A 李标
%A 程继健
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 用透射电子显微镜、红外显微镜、红外光谱及差示扫描量热法观察研究了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀相．讨论了ＣｄＺｎＴｅ晶体中的Ｔｅ沉淀／夹杂的成因和区别，及其对红外透射比的影响；ＣｄＺｎＴｅ晶体的红外透射光谱和差示扫描量热法结果表明，当晶体中Ｔｅ沉淀相含量（ｗＴｅ）大于０．６ｗｔ％时，其红外透射比低于５５％，并随ｗＴｅ值的增大而下降；此结果可用Ⅱ－Ⅵ族半导体价带内光吸收机制解释．
%K 镉锌碲晶片
%K 碲
%K 沉淀相
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B9590A57473203C9&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=7979125BBE749348&eid=69E4C201C13601F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2