%0 Journal Article
%T (001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面
%A 顾彪
%A 徐茵
%A 孙凯
%A 秦福文
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．
%K 砷化镓
%K 氮化镓
%K 异质外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=49B3AFC214D09865&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=E158A972A605785F&sid=6A73B36E85DB0CE9&eid=5B5B75F4854B8331&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=7&reference_num=5