%0 Journal Article
%T TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性
%A 刘京
%A 茹国平
%A 顾志光
%A 屈新萍
%A 李炳宗
%A 朱剑豪
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．
%K VLSI
%K ULSI
%K IC
%K 制造工艺
%K 金属薄膜
%K 二氧化钴
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C459DE0A54BAD578A1F&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=38B194292C032A66&sid=797D49279EA93BC4&eid=F9F74EC1AA08A7B9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10