%0 Journal Article
%T MOCVD和GSMBE生长Ga_（0．5）In_（0．5）P外延层中有序结构的研究
%A 董建荣
%A 李晓兵
%A 孙殿照
%A 陆大成
%A 李建平
%A 孔梅影
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用ＭＯＣＶＤ在（１００）、ＧＳＭＢＥ在（１００）和（１１１）ＢＧａＡｓ上生长了ＧａＩｎＰ外延层．ＰＬ测试表明，（１００）衬底上ＧａＩｎＰＰＬ峰的能量比计算的带隙分别小４３（ＧＳＭＢＥ生长）和１０４ｍｅＶ（ＭＯＣＶＤ生长）．用Ｋｕｒｔｚ等人的模型对ＭＯＣＶＤ和ＧＳＭＢＥ生长的ＧａＩｎＰ中有序度的不同进行了解释．并讨论了衬底晶向对ＧａＩｎＰ中有序程度的影响．
%K MOCVD
%K GSMBE
%K GaInP层
%K 外延生长
%K 有序结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290733A1CFF694F09D09A&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=9A596D09E9486F3E&eid=9107B2E171152411&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4