%0 Journal Article
%T a－SiN∶H的退火处理及其对a－Si∶H TFT性能与可靠性的影响
%A 李秀京
%A 陈治明
%A 田敬民
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响．实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理使ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性变坏．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C84E74F8E81EF01F&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=A586B761C9AA2FAA&eid=27350781F1397F32&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0