%0 Journal Article
%T 快速氧化生长超薄硅氧化层的变入射角椭圆偏振研究
%A 冯星伟
%A 苏毅
%A 戴自怡
%A 陈良尧
%A 钱佑华
%A 方景松
%A 郑庆平
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 采用多角度椭圆偏振光谱测量，并结合一定的数值计算方法，首次同时精确测出了多种工艺条件下由快速热氧化法生长的超薄氧化层厚度与折射率，对该方法生长的氧化层厚度与氧化时间平方根的关系进行了研究并计算了氧化生长速率的温度激活能，同时也对薄氧化层折射率与氧化层厚度的关系进行了探讨．
%K 硅
%K 氧化层生长
%K 椭圆偏振
%K 氧化膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=657598A7C636B4CF&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=47F7649551A37CFC&eid=F18BA6286A889C1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2