%0 Journal Article
%T GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As超晶格中场致激子峰展宽机制的研究
%A 张耀辉
%A 江德生
%A 李锋
%A 吴荣汉
%A 周均铭
%A 梅笑冰
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 我们利用光电流谱在10—300K温度范围内研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)短周期超晶格中的Wannier-Stark效应,实验发现0h激子峰随电场的增加而展宽。我们把激子峰的场致展宽归因于:Wannier-Stark局域化使界面的涨落对电子态的散射增加而使激子峰展宽。这种与电场有关的散射机制会使L.Esaki和Tsu所预期的超晶格的负微分电阻效应减小。
%K GaAs／GaAlAs
%K 超晶格
%K 激子峰
%K 电场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B191595FA059AE38AEDFC0F418B5E860&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=4A8412AEEC89236B&eid=E934BC2766053B28&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6