%0 Journal Article
%T JTE结的二维电场分析
%A 张波
%A 陈星弼
%A 李肇基
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文借助于根据结终端技术的解析理论开发的分析程序ANAPI,对单区与多区JTE进行了场分析及优化设计,给出了具有JTE结构的pn结沿冶金结和沿表面的二维电场分布,并用国际上通行的PISCES-Ⅱ程序进行了验证。实验发现:在浅结情形下,优化的三区JTE结也能达到理想击穿的91％,近似优化VLD的效果。
%K JTE结
%K 电场分析
%K 节端扩散
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E2B4C579AEA418DE&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=C824C8F9F54AE9B9&eid=7E2D9DFE40003B3F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6