%0 Journal Article
%T 硅反型层中热功率的磁量子振荡
%A 秦国毅
%A P.N.Butcher
%A T.M.Fromhold
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文把Butcher等提出的计算GaAs异质结磁热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张量的屏蔽声曳贡献和扩散贡献,采用了重新核实的硅反型层二维电子密度数据,并用电阻张量的实验值取代有较大误差的解析公式。计算结果远优于前人的结果,在振荡位相和幅度两方面都与Oxley等提供的T=5.020K下的最新实验数据定性相符。
%K 硅
%K 反型层
%K 热功率
%K 量子振荡
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9D4E33F1BAED8F31&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=0A8675156EB60B87&eid=1A0C7C60D40EFD74&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2