%0 Journal Article
%T p型含氮CZ—Si单晶的退火性质
%A 陈畅生
%A 曾繁清
%A 曾瑞
%A 陈炳若
%A 龙理
%A 何民才
%A 张锦心
%A 李立本
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。
%K 单晶制备
%K 含氮CZ－Si
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5326468C861BA5AE5075B34CDCAD94AB&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BE33CC7147FEFCA4&eid=F4B561950EE1D31A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=3